Caractérisation et analyse du couplage substrat entre le TSV et les transistors MOS dans les circuits intégrés 3D.
Ces dernières années ont vu l'émergence d'un nouveaux concept dans le domaine de la microélectronique pour répondre aux besoins grandissant en termes de performances et taille des puces et trouver une alternative au loi de Moore et de More than Moore qui atteignent leur limites. Il s'...
| Main Author: | |
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| Language: | fra |
| Published: |
Université de Grenoble
2013
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00954178 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/95/41/78/PDF/37448_BROCARD_2013_archivage.pdf |