Analyse des contraintes mécaniques et de la résistivité des interconnexions de cuivre des circuits intégrés : rôle de la microstructure et du confinement géométrique

L'évolution de la technologie microélectronique conduit à une densité d'intégration toujours plus forte des transistors. Les structures d'interconnexions en cuivre Damascène suivent cette tendance et doivent être maîtrisées en termes de fabrication, de performance et de robustesse, ce...

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Bibliographic Details
Main Author: Vayrette, Renaud
Language:FRE
Published: Ecole Nationale Supérieure des Mines de Saint-Etienne 2011
Subjects:
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00669697
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/66/96/97/PDF/Renaud-Vayrette-diff.pdf