Estudio por microscopía electrónica y espectroscopía de infra-rojos de capas de SiC obtenidas mediante carburización de obleas de Si

Estudio por microscopía electrónica y espectroscopía de infra-rojos de capas de SiC obtenidas mediante carburización de obleas de Si

The fabrication and characterization of thin SiC layers obtained by Rapid Thermal Chemical Vapour Deposition (RTCVD) are reported. These SiC layers were grown in a simple home-made system for Si wafers carbonization. The growth process was carried out using a mixture of H2 and C3H8 as the C precurso...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors: Morales, F. M., Ramírez, J., Fernández, C., Barbadillo, L., Piqueras, J., Araújo, D., Molina, S. I., García, R.
Format: Article
Language:English
Published: Elsevier 2004-04-01
Series:Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio
Subjects:
Si carbonization
SiC
RTCVD
TEM
FTIR
Carburización de Si
Online Access:http://ceramicayvidrio.revistas.csic.es/index.php/ceramicayvidrio/article/view/540/560

Internet

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