Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.
Esse trabalho de mestrado teve como estudo o transistor Túnel-FET (TFET) fabricado em estrutura de nanofio de silício. Este estudo foi feito de forma teórica (simulação numérica) e experimental. Foram estudadas as principais características digitais e analógicas do dispositivo e seu potencial para u...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
2016
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/ |