Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade

Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade

Neste trabalho estudamos as propriedades físicas das impurezas de elementos de terra rara (TR) nos cristais de GaN, nas estruturas cristalinas zincblenda e wurtzita, e de ZnO. Para tal, consideramos as impurezas de Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er e Tm substitucionais no sítio do cátion (Ga ou Zn), pois esta...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Oliveira, Glaura Caroena Azevedo de
Other Authors: Assali, Lucy Vitoria Credidio
Format: Others
Language:pt
Published: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP 2012
Subjects:
ab initio methods
gallium nitride
GGA+U
Hubbard potential
métodos ab initio
nitreto de gálio
óxido de zinco
potencial de Hubbard
rare-earth
terra-rara
zinc oxide
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032013-151853/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032013-151853/

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