Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio.
Este trabalho apresenta um estudo que inclui a comparação experimental entre transistores de porta tripla (FinFETs) fabricados sobre lâminas de Silício-Sobre Isolante (SOI) e os fabricados diretamente sobre a lâmina de silício (de corpo). A caracterização elétrica dos FinFETs foi realizada para cana...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/ |