Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS.

Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS.

Este trabalho apresenta o estudo do desempenho analógico do transistor SOI MOSFET com tensão de limiar dinamicamente variável (DTMOS). Esse dispositivo é fabricado em tecnologia SOI parcialmente depletado (PD). A tensão de limiar desta estrutura varia dinamicamente porque a porta do transistor...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Amaro, Jefferson Oliveira
Other Authors: Martino, João Antonio
Format: Others
Language:pt
Published: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP 2009
Subjects:
Circuitos analógicos
Circuitos integrados MOS
Dispositivos eletrônicos
DTMOS
Electrical characterization
Intrinsic gain DC
Medidas elétricas
Microeletrônica
PDSOI
SOI
Transistores (modelagem)
Two-dimensional simulation
Unit-gain frequency
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/

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