Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica.

Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica.

Apresentamos neste trabalho um estudo do efeito da depleção do silício policristalino e da corrente de tunelamento em dispositivos com óxidos de porta finos. Utilizamos curvas características da capacitância em função da tensão de porta (C-V), para analisar a degradação causada por estes efeitos.Qua...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Rodrigues, Michele
Other Authors: Martino, Joao Antonio
Format: Others
Language:pt
Published: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP 2006
Subjects:
C-V curve
Capacitor
Corrente de tunelamento
Curva C-V
Efeito de depleção do Si-poli
MOS
MOS capacitor
Óxido de porta fino
Polysilicon depletion effect
Simulação bidimensional
Thin gate oxide
Tunneling current
Two-dimensional simulation
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/

Similar Items