Aproximação de Thomas-Fermi aplicada a estruturas semicondutoras delta-dopadas
Neste trabalho usamos a teoria de Thomas-Fermi para estudar as propriedades eletrônicas de semicondutores planarmente dopados, ou delta-dopados, com densidade de dopantes de moderada a alta. O principal objetivo do trabalho é a verificação de que esta teoria apresenta muito bons resultados com os do...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
1992
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-15042014-113338/ |