Espalhamento Raman em Pontos Quânticos de InGaAs

Espalhamento Raman em Pontos Quânticos de InGaAs

Ilhas de InxGa1-xAs são de grande interesse no desenvolvimento tecnológico de lasers de diodos e diodos emissores de luz. As ilhas de InxGa1-xAs investigadas neste trabalho foram crescidas sobre um substrato semi-isolante de GaAs (001) pelo método de auto-organização usando epitaxia...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Vaz, Alfredo Rodrigues
Other Authors: Crivellenti, Vólia Lemos
Format: Others
Language:pt
Published: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP 1999
Subjects:
Efeitos de Tensão
effects of tension
Espalhamento Raman
Optical Properties of materials
Pontos Quânticos
Propriedades ópticas de materiais
quantum dots
Raman scattering
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-14072014-163652/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-14072014-163652/

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