Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD.

Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD.

Neste trabalho foram fabricados e caracterizados capacitores MOS com camada dielétrica de oxinitreto de silício de diferentes composição química, depositada pela técnica de PECVD a baixa temperatura, com o intuito de estudar suas propriedades dielétricas e de interface visando à aplicação deste mate...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Albertin, Katia Franklin
Other Authors: Alvarez, Ines Pereyra de
Format: Others
Language:pt
Published: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP 2003
Subjects:
capacitor MOS
densidade de estados de interface
interface state density
MOS Capacitor
oxinitreto de silício
PECVD
silicon oxynitride
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030/

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