Crescimento e caracterização de heteroestruturas tensionadas de InxGa1-x-As/GaAs
Utilizando a técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE), crescemos heteroestruturas tensionadas de InxGa1-xAs sobre substratos de GaAs (100). A composição de In, a espessura para a transição 2D-3D e a espessura crítica (hc) foram determinadas através da análise \"in situ\" pelo RHEED. O...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
1992
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-06022014-104232/ |