Uma contribuição para caracterização de níveis de energia de impurezas em AlxGa1-xAs tipo n.
Neste trabalho apresentamos medidas de fotocondutividade, decaimento da fotocondutividade persistente, resistência em função da temperatura em amostras de AlxGa1-xAs de gap direto e indireto, dopadas com Si. Comparamos as teorias de Brooks-Herring e Takimoto, ambas referentes ao espalhamento por imp...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
2000
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-05052010-153410/ |