Estudo teórico de gaAs dopado com átomos tipo IV

Estudo teórico de gaAs dopado com átomos tipo IV

Através de cálculos de pseudopotenciais ab initio, dentro do esquema de Car-Parrinello, investigamos diferentes defeitos no GAAS dopado com elementos do grupo IV da tabela periódica. Estudamos a formação dos níveis doadores profundos relacionados ao SI e ao GE substitucionais no Arseneto de Gálio. E...

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Bibliographic Details
Main Author: Schmidt, Tome Mauro
Other Authors: Fazzio, Adalberto
Format: Others
Language:pt
Published: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP 1995
Subjects:
Defects
Defeitos
density functional theory
Pseudopotencial
pseudopotential
Semiconductors
Semicondutores
Teoria do funcional densidade
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04092012-112354/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04092012-112354/

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