Estudo dos Estágios Iniciais do Crescimento de Ge Sobre Si(100)
A superfície (100) do Silício é estudada através de métodos de primeiros princípios, baseados na Teoria do Funcional da Densidade e no Método dos Pseud.opotenciais. Estudamos as propriedades eletrônicas e estruturais das principais reconstruções desta superfície. Obtivemos os principais sítios ligan...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
2000
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-02082013-150131/ |