Adsorção de moléculas de As2 sobre as superfícies de GaAs (001): {Te, Se e S} e a formação das interfaces GaAs/Te/InAs e GaAs/Si(Ge) /AlAs
Neste trabalho apresentamos um estudo teórico da ação surfactante do Te no crescimento epitaxial do InAs sobre o GaAs (001). Os cálculos foram feitos dentro da teoria do funcional densidade com a aproximação de densidade local, e utilizando-se pseudopotenciais ab initio com conservação da norma. Os...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
1997
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-02072013-151151/ |