Níveis profundos associados a vacância e nitrogênio em diamante

Níveis profundos associados a vacância e nitrogênio em diamante

Neste trabalho estudamos a estrutura eletrônica de defeitos pontuais em diamante , os quais introduzem níveis profundos na faixa proibida deste material. Utilizamos o modelo de aglomerado molecular dentro de dois formalismos: o Método do Espalhamento Múltiplo X (MS- X), que é um método de primeiros...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Alves, Horacio Wagner Leite
Other Authors: Leite, Jose Roberto
Format: Others
Language:pt
Published: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP 1985
Subjects:
CNDD/BW
Deep Levels
Defeitos Pontuais
Diamante
Diamond
Electronic Structure
Espalhamento Múltiplo
Estrutura Eletrônica
Impurezas Substitucionais
Multiple Scattering
nitrogen
Nitrogênio
Níveis Profundos
Punctual defects
Semiconductors
Semicondutores
substitutional impurities
Vacância
Vacancy
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-01042014-092413/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-01042014-092413/

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