Passivation de la surface du nitrure de gallium par dépôt PECVD d'oxyde de silicium
Le nitrure de gallium (GaN) est un matériau semi-conducteur de la famille III-V à large bande interdite directe, ayant des propriétés électriques et thermiques intéressantes. Grâce à sa large bande interdite, son fort champ de claquage et sa forte vitesse de saturation, il est très convoité pour la...
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| Language: | French English |
| Published: |
Université de Sherbrooke
2015
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| Online Access: | http://hdl.handle.net/11143/6735 |