Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS
Cette étude porte sur l'intégration hybride de transistors à un électron (single-electron transistor, SET) dans un noeud technologique CMOS. Les SETs présentent de forts potentiels, en particulier en termes d'économies d'énergies, mais ne peuvent complètement remplacer le CMOS dans le...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | fr |
| Published: |
Université de Sherbrooke
2015
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/11143/6131 |