Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS

Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS

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Cette étude porte sur l'intégration hybride de transistors à un électron (single-electron transistor, SET) dans un noeud technologique CMOS. Les SETs présentent de forts potentiels, en particulier en termes d'économies d'énergies, mais ne peuvent complètement remplacer le CMOS dans le...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Jouvet, Nicolas
Other Authors: Drouin, Dominique
Language:fr
Published: Université de Sherbrooke 2015
Subjects:
Caractérisation électrique
Nanodamascène
Microfabrication
Nanotechnologie
Transistor à un électron (SET)
MOSFET
Online Access:http://hdl.handle.net/11143/6131

Internet

http://hdl.handle.net/11143/6131

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