Fabrication, simulation et caractérisation des propriétés de transport de composants à effet de champ latéral sur substrat de soi (Silicon-on-insulator)
À la base de l’évolution de la technologie microélectronique actuelle, la réduction des dimensions critiques des MOSFET standards pour améliorer leurs performances électriques a atteint depuis quelques années ses limites physiques. L’utilisation de nanocomposants innovateurs ayant une configuration...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | French |
| Published: |
Université de Sherbrooke
2014
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| Online Access: | http://hdl.handle.net/11143/6016 |