Contribution à la caractérisation des effets d'une irradiation aux électrons sur les propriétés optiques et de transport électrique du GaAs
Nous avons expose des échantillons d'arseniure de gallium à des irradiations aux électrons (7 MeV). Les doses utilisées variaient de 10[indice supérieur 10] jusqu' à 6[indice supérieur 15] e/cm[indice supérieur 2]. Nos échantillons, épitaxiés par déposition chimique en phase vapeur de méta...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | French |
| Published: |
Université de Sherbrooke
1993
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| Online Access: | http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/4395 |