Fabrication et caractérisation de circuits intégrés micro-ondes passifs sur arséniure de gallium pour les télécommunications
La demande dans le domaine des télécommunications repousse sans cesse les limites de la microélectronique. Les structures actives les plus complexes sur silicium ne pourront plus rivaliser avec leurs équivalents sur matériau III-V et autres hétérostructures semi-conductrices au niveau des performanc...
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| Language: | French |
| Published: |
Université de Sherbrooke
2004
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| Online Access: | http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/1243 |