Élaboration et caractérisation d'une structure GaAs par épitaxie en phase vapeur par organo-métallique à basse pression pour la fabrication d'une diode électroluminescente infrarouge

• Main Author: Benjelloun, Meriem
• Other Authors: Aktik, Cetin
• Language: French
• Published: Université de Sherbrooke 2001
• Online Access: http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/1147

Les matériaux semiconducteurs composés tels l'arséniure de gallium GaAs permettent de fabriquer des dispositifs performants pour la microélectronique. Nous avons étudié l'élaboration d'une structure d'une diode électroluminescente (LED) émettant dans l'infrarouge à base de GaAs obtenue par la technique d'organométalliques à basse pression (LP-MOCVD). Cette technique offre l'avantage d'une épitaxie sélective, et permet un bon contrôle du niveau du dopage et de la composition de l'alliage. Afin de réduire l'incorporation de carbone provenant de la décomposition des radicaux organiques, on a travaillé à basse température. La croissance épitaxiale a été faite dans un réacteur vertical utilisant des précurseurs conventionnels comme le triméthylgallium et l'arsine. Les caractéristiques des couches épitaxiées obtenues dépendent des conditions de croissance: température de croissance, ratio V/III, pression dans le réacteur, et orientation du substrat. Les couches de GaAs fabriquées sont de très bonne qualité morphologique. La technologie de fabrication de la structure de la LED est décrite dans ce travail. Elle a nécessité quelques opérations technologiques. Dans ces conditions, la réussite de l'élaboration de la LED dépend avant tout de la croissance des couches épitaxiées et de la mise en oeuvre des opérations de photolithographie. Les propriétés électriques de ces structures ont été étudiées par des mesures capacité-tension (C-V).