Élaboration et caractérisation d'une structure GaAs par épitaxie en phase vapeur par organo-métallique à basse pression pour la fabrication d'une diode électroluminescente infrarouge
Les matériaux semiconducteurs composés tels l'arséniure de gallium GaAs permettent de fabriquer des dispositifs performants pour la microélectronique. Nous avons étudié l'élaboration d'une structure d'une diode électroluminescente (LED) émettant dans l'infrarouge à base de G...
| Main Author: | |
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| Language: | French |
| Published: |
Université de Sherbrooke
2001
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| Online Access: | http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/1147 |