3D integration of single electron transistors in the Back-End-Of-Line of 28 nm CMOS technology for the development of ultra-low power sensors
La forte demande et le besoin d’intégration hétérogène de nouvelles fonctionnalités dans les systèmes mobiles et autonomes, tels que les mémoires, capteurs, et interfaces de communication doit prendre en compte les problématiques d’hétérogénéité, de consommation d’énergie et de dissipation de chaleu...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | English |
| Published: |
Université de Sherbrooke
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/11143/10122 |