3D integration of single electron transistors in the Back-End-Of-Line of 28 nm CMOS technology for the development of ultra-low power sensors

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La forte demande et le besoin d’intégration hétérogène de nouvelles fonctionnalités dans les systèmes mobiles et autonomes, tels que les mémoires, capteurs, et interfaces de communication doit prendre en compte les problématiques d’hétérogénéité, de consommation d’énergie et de dissipation de chaleu...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Ayadi, Yosri
Other Authors: Drouin, Dominique
Language:English
Published: Université de Sherbrooke 2016
Subjects:
Single electron transistors
3D monolithic integration
FET-based gas sensors
Gas sensing
Hydrogen detection
MW-CNT networks
Ultra-low power
FDSOI
Double gate-SET
Double gate-FET
Sensing layer texturing
Transistors monoélectroniques
Intégration 3D monolithique
Capteur de gaz à base de FET
Capteur de gaz
Détection du dihydrogène
Texturation de surface de la couche sensible
Réseaux de MW-CNTs
Ultra-basse consommation
Online Access:http://hdl.handle.net/11143/10122

Internet

http://hdl.handle.net/11143/10122

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