Ανάλυση και πειραματική αξιολόγηση του μηχανισμού εισαγωγής λαθών σε μνήμες τεχνολογίας MLC NAND

Οι μνήμες τεχνολογίας NAND Flash χρησιμοποιούνται ευρέως για αποθήκευση δεδομένων λόγω της χαρακτηριστικής πυκνότητας, της χαμηλής απαιτούμενης ισχύος, του χαμηλού κόστους, της υψηλής διεκπεραιωτικής ικανότητας και της αξιοπιστίας τους. Η ανάπτυξη της πολυεπίπεδης τεχνολογίας (MLC) έχει καταστήσει δ...

Full description

Bibliographic Details
Main Author:	Γεωργακοπούλου, Κωνσταντίνα
Other Authors:	Αντωνακόπουλος, Θεόδωρος
Language:	gr
Published:	2011
Subjects:	Αποθήκευση δεδομένων Πειραματική αξιολόγηση 004.53 Data storage Experimental evaluation NAND Flash
Online Access:	http://nemertes.lis.upatras.gr/jspui/handle/10889/4086

id	ndltd-upatras.gr-oai-nemertes-10889-4086
record_format	oai_dc
spelling	ndltd-upatras.gr-oai-nemertes-10889-40862015-10-30T05:04:00Z Ανάλυση και πειραματική αξιολόγηση του μηχανισμού εισαγωγής λαθών σε μνήμες τεχνολογίας MLC NAND Γεωργακοπούλου, Κωνσταντίνα Αντωνακόπουλος, Θεόδωρος Georgakopoulou, Konstantina Φακωτάκης, Νικόλαος Αποθήκευση δεδομένων Πειραματική αξιολόγηση 004.53 Data storage Experimental evaluation NAND Flash Οι μνήμες τεχνολογίας NAND Flash χρησιμοποιούνται ευρέως για αποθήκευση δεδομένων λόγω της χαρακτηριστικής πυκνότητας, της χαμηλής απαιτούμενης ισχύος, του χαμηλού κόστους, της υψηλής διεκπεραιωτικής ικανότητας και της αξιοπιστίας τους. Η ανάπτυξη της πολυεπίπεδης τεχνολογίας (MLC) έχει καταστήσει δυνατή την αντικατάσταση των σκληρών δίσκων οδήγησης (HDDs) στις φορητές συσκευές και ορισμένους υπολογιστές με NAND μνήμες. Βεβαίως, οι NAND μνήμες δεν διακρίνονται για την απουσία λαθών κατά την αποθήκευση, αλλά στηρίζονται σε τεχνικές διορθώσεις λαθών (ECC) για να επιτύχουν την κατάλληλη αξιοπιστία. Διάφορα φαινόμενα οδηγούν σε λάθη αποθήκευσης στις Flash μνήμες. Σκοπός της παρούσας διπλωματικής εργασίας είναι η ανάλυση αυτών των μηχανισμών εισαγωγής λαθών και η μελέτη από φυσικής πλευράς της τεχνολογίας των MLC NAND Flash μνημών. καθώς και η πειραματική αξιολόγηση τους και η εξαγωγή των αναγκαίων συμπερασμάτων. -- 2011-01-19T08:25:13Z 2011-01-19T08:25:13Z 2010 2011-01-19T08:25:13Z Thesis http://nemertes.lis.upatras.gr/jspui/handle/10889/4086 gr 0
collection	NDLTD
language	gr
sources	NDLTD
topic	Αποθήκευση δεδομένων Πειραματική αξιολόγηση 004.53 Data storage Experimental evaluation NAND Flash
spellingShingle	Αποθήκευση δεδομένων Πειραματική αξιολόγηση 004.53 Data storage Experimental evaluation NAND Flash Γεωργακοπούλου, Κωνσταντίνα Ανάλυση και πειραματική αξιολόγηση του μηχανισμού εισαγωγής λαθών σε μνήμες τεχνολογίας MLC NAND
description	Οι μνήμες τεχνολογίας NAND Flash χρησιμοποιούνται ευρέως για αποθήκευση δεδομένων λόγω της χαρακτηριστικής πυκνότητας, της χαμηλής απαιτούμενης ισχύος, του χαμηλού κόστους, της υψηλής διεκπεραιωτικής ικανότητας και της αξιοπιστίας τους. Η ανάπτυξη της πολυεπίπεδης τεχνολογίας (MLC) έχει καταστήσει δυνατή την αντικατάσταση των σκληρών δίσκων οδήγησης (HDDs) στις φορητές συσκευές και ορισμένους υπολογιστές με NAND μνήμες. Βεβαίως, οι NAND μνήμες δεν διακρίνονται για την απουσία λαθών κατά την αποθήκευση, αλλά στηρίζονται σε τεχνικές διορθώσεις λαθών (ECC) για να επιτύχουν την κατάλληλη αξιοπιστία. Διάφορα φαινόμενα οδηγούν σε λάθη αποθήκευσης στις Flash μνήμες. Σκοπός της παρούσας διπλωματικής εργασίας είναι η ανάλυση αυτών των μηχανισμών εισαγωγής λαθών και η μελέτη από φυσικής πλευράς της τεχνολογίας των MLC NAND Flash μνημών. καθώς και η πειραματική αξιολόγηση τους και η εξαγωγή των αναγκαίων συμπερασμάτων. === --
author2	Αντωνακόπουλος, Θεόδωρος
author_facet	Αντωνακόπουλος, Θεόδωρος Γεωργακοπούλου, Κωνσταντίνα
author	Γεωργακοπούλου, Κωνσταντίνα
author_sort	Γεωργακοπούλου, Κωνσταντίνα
title	Ανάλυση και πειραματική αξιολόγηση του μηχανισμού εισαγωγής λαθών σε μνήμες τεχνολογίας MLC NAND
title_short	Ανάλυση και πειραματική αξιολόγηση του μηχανισμού εισαγωγής λαθών σε μνήμες τεχνολογίας MLC NAND
title_full	Ανάλυση και πειραματική αξιολόγηση του μηχανισμού εισαγωγής λαθών σε μνήμες τεχνολογίας MLC NAND
title_fullStr	Ανάλυση και πειραματική αξιολόγηση του μηχανισμού εισαγωγής λαθών σε μνήμες τεχνολογίας MLC NAND
title_full_unstemmed	Ανάλυση και πειραματική αξιολόγηση του μηχανισμού εισαγωγής λαθών σε μνήμες τεχνολογίας MLC NAND
title_sort	ανάλυση και πειραματική αξιολόγηση του μηχανισμού εισαγωγής λαθών σε μνήμες τεχνολογίας mlc nand
publishDate	2011
url	http://nemertes.lis.upatras.gr/jspui/handle/10889/4086
work_keys_str_mv	AT geōrgakopouloukōnstantina analysēkaipeiramatikēaxiologēsētoumēchanismoueisagōgēslathōnsemnēmestechnologiasmlcnand
_version_	1718118205678944256

Ανάλυση και πειραματική αξιολόγηση του μηχανισμού εισαγωγής λαθών σε μνήμες τεχνολογίας MLC NAND

Similar Items