Ανάλυση και πειραματική αξιολόγηση του μηχανισμού εισαγωγής λαθών σε μνήμες τεχνολογίας MLC NAND
Οι μνήμες τεχνολογίας NAND Flash χρησιμοποιούνται ευρέως για αποθήκευση δεδομένων λόγω της χαρακτηριστικής πυκνότητας, της χαμηλής απαιτούμενης ισχύος, του χαμηλού κόστους, της υψηλής διεκπεραιωτικής ικανότητας και της αξιοπιστίας τους. Η ανάπτυξη της πολυεπίπεδης τεχνολογίας (MLC) έχει καταστήσει δ...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | gr |
| Published: |
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://nemertes.lis.upatras.gr/jspui/handle/10889/4086 |