AlGaInP-Quantenpunkte für optoelektronische Anwendungen im sichtbaren Spektralbereich

Die Arbeit beschäftigt sich mit der Herstellung und Charakterisierung von AlGaInP Quantenpunkten auf GaP und GaAs-Substrat. Auf Basis dieser Quantenpunkte wurden Halbleiterlaser auf GaAs hergestellt, welche bei Raumtemperatur zwischen 660 nm und 730 nm emittierten. Die Untersuchung von Breitstreifen...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Gerhard, Sven
Format: Doctoral Thesis
Language:deu
Published: 2011
Subjects:
Online Access:https://opus.bibliothek.uni-wuerzburg.de/frontdoor/index/index/docId/6426
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-76174
https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:20-opus-76174
https://opus.bibliothek.uni-wuerzburg.de/files/6426/Sven_Gerhard_Dissertation.pdf