AlGaInP-Quantenpunkte für optoelektronische Anwendungen im sichtbaren Spektralbereich
Die Arbeit beschäftigt sich mit der Herstellung und Charakterisierung von AlGaInP Quantenpunkten auf GaP und GaAs-Substrat. Auf Basis dieser Quantenpunkte wurden Halbleiterlaser auf GaAs hergestellt, welche bei Raumtemperatur zwischen 660 nm und 730 nm emittierten. Die Untersuchung von Breitstreifen...
Main Author: | |
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Format: | Doctoral Thesis |
Language: | deu |
Published: |
2011
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Subjects: | |
Online Access: | https://opus.bibliothek.uni-wuerzburg.de/frontdoor/index/index/docId/6426 http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-76174 https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:20-opus-76174 https://opus.bibliothek.uni-wuerzburg.de/files/6426/Sven_Gerhard_Dissertation.pdf |