Untersuchung einer Herstellungstechnologie für Feldeffekt-Transistoren auf Basis von Kohlenstoffnanoröhren

Seit der Erfindung der integrierten Schaltung in den 1960er Jahren wird die Skalierung elektronischer Bauelemente dem Postulat von Moore folgend immer weiter vorangetrieben. Die Skalierung des wichtigsten Bauelements der Mikro- und Nanoelektronik, des Metall–Oxid–Halbleiter-Feldeffekt-Transistors (M...

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Bibliographic Details
Main Author: Keyn, Martin
Format: Others
Language:de
Published: 2018
Online Access:http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/7660/7/2018-07-31_Keyn_Martin.pdf
Keyn, Martin <http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/view/person/Keyn=3AMartin=3A=3A.html> : Untersuchung einer Herstellungstechnologie für Feldeffekt-Transistoren auf Basis von Kohlenstoffnanoröhren. Technische Universität, Darmstadt [Ph.D. Thesis], (2018)