Graphen-Transistoren: Silizium CMOS kompatible Herstellung für Anwendungen in der Nanoelektronik
Die Mikroelektronik hat sich seit der Entwicklung der ersten integrierten Schaltung in den 1960er Jahren stetig verbessert. Heutzutage ist der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) das hauptsächlich verwendete Bauelement in digitalen elektronischen Schaltungen. Seit dieser Zeit...
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Format: | Others |
Language: | German de |
Published: |
Darmstädter Dissertationen
2013
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Online Access: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/3435/1/Dissertation.pdf Wessely, Pia Juliane <http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/view/person/Wessely=3APia_Juliane=3A=3A.html> (2013): Graphen-Transistoren: Silizium CMOS kompatible Herstellung für Anwendungen in der Nanoelektronik.Darmstadt, Darmstädter Dissertationen, Technische Universität, [Ph.D. Thesis] |
Internet
https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/3435/1/Dissertation.pdfWessely, Pia Juliane <http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/view/person/Wessely=3APia_Juliane=3A=3A.html> (2013): Graphen-Transistoren: Silizium CMOS kompatible Herstellung für Anwendungen in der Nanoelektronik.Darmstadt, Darmstädter Dissertationen, Technische Universität, [Ph.D. Thesis]