Quasi-van der Waals-Epitaxie von II-VI Halbleitern auf Schichtgitterchalkogeniden und GaSe-terminierten Si(111)-Oberflächen
Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die Deposition der dreidimensional (3D) kristallisierenden II-VI Halbleiter ZnSe und CdTe auf den van der Waals-Oberflächen der zweidimensional (2D) aufgebauten III-VI-Schichtgitterchalkogenide GaSe und InSe sowie des ebenfalls schichtgitterartig kristallisiere...