Quasi-van der Waals-Epitaxie von II-VI Halbleitern auf Schichtgitterchalkogeniden und GaSe-terminierten Si(111)-Oberflächen
Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die Deposition der dreidimensional (3D) kristallisierenden II-VI Halbleiter ZnSe und CdTe auf den van der Waals-Oberflächen der zweidimensional (2D) aufgebauten III-VI-Schichtgitterchalkogenide GaSe und InSe sowie des ebenfalls schichtgitterartig kristallisiere...
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Wisotzki, Elmar <http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/view/person/Wisotzki=3AElmar=3A=3A.html> (2003): Quasi-van der Waals-Epitaxie von II-VI Halbleitern auf Schichtgitterchalkogeniden und GaSe-terminierten Si(111)-Oberflächen.Darmstadt, Technische Universität, [Online-Edition: http://elib.tu-darmstadt.de/diss/000330 <http://elib.tu-darmstadt.de/diss/000330> <official_url>],[Ph.D. Thesis]