Modelluntersuchungen an Heterogrenzflächen von II-VI-Halbleitern
In dieser Arbeit wurden Untersuchungen zum Wachstum und der Grenzflächenbildung der beiden II-VI Verbindungshalbleiter CdS und CdTe durchgeführt. Im Mittelpunkt stand die Ermittlung des Einflusses der Substratorientierung, weshalb Schichten auf definierten Oberflächen von Einkristallen präpariert wu...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Others |
| Language: | German de |
| Published: |
2011
|
| Online Access: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/2542/1/TUDthesis_110417_Siepchen-Bastian.pdf Siepchen, Bastian <http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/view/person/Siepchen=3ABastian=3A=3A.html> (2011): Modelluntersuchungen an Heterogrenzflächen von II-VI-Halbleitern.Darmstadt, Technische Universität, [Ph.D. Thesis] |
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https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/2542/1/TUDthesis_110417_Siepchen-Bastian.pdfSiepchen, Bastian <http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/view/person/Siepchen=3ABastian=3A=3A.html> (2011): Modelluntersuchungen an Heterogrenzflächen von II-VI-Halbleitern.Darmstadt, Technische Universität, [Ph.D. Thesis]