Damage accumulation and recovery in Xe implanted 4H-SiC
Le carbure de silicium (SiC) est un matériau qui est considéré comme un semi-conducteur à large bande interdite ou une céramique suivant ses applications en microélectronique ou comme matériau nucléaire. Dans ces deux domaines d'application les défauts générés par l'implantation/irradiatio...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | en |
| Published: |
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2018POIT2251/document |