Modélisation multi-ports des transistors hyperfréquences
Ce document traite de la caractérisation et la modélisation des transistors multi-ports. Une caractérisation des transistors pHEMT à base de l'AsGa est réalisée. Une importance particulière est donné aux méthodes de caractérisation RF sous pointes. En effet, une étude sur les méthodes d’éplucha...
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| Language: | fr |
| Published: |
2018
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2018LIMO0100/document |