Étude de semiconducteurs III-V non-stoechiométriques pour l'échantillonnage de signaux hyperfréquences
L’arséniure de gallium épitaxié à basse température (GaAs-BT) présente des propriétés d’intérêt pour l’opto-électronique. Ses propriétés sont liées à la présence de défauts ponctuels à l’origine des temps de vie compatibles avec son utilisation en tant que couche active dans des photo-commutateurs....
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | fr |
| Published: |
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2018LIL1I049/document |