Dopage de couches de GaN sur substrat silicium par implantation ionique
Les dispositifs à base de GaN et ses alliages sont de plus en plus présents dans notre quotidien avec le développement exponentiel des diodes électroluminescentes (LED). Bien que la majorité des productions commerciales soient pour le moment effectuées sur substrat saphir, le silicium, disponible en...
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| Language: | fr |
| Published: |
2018
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2018GREAY024/document |