Caractérisation de transistors à effet tunnel fabriqués par un processus basse température et des architectures innovantes de TFETs pour l’intégration 3D

Caractérisation de transistors à effet tunnel fabriqués par un processus basse température et des architectures innovantes de TFETs pour l’intégration 3D

Cette thèse porte sur l’étude de transistor à effet tunnel (TFET) en FDSOI à géométries planaire et triple grille/nanofils. Nous rapportons pour la première fois des TFETs fabriqués par un processus basse température (600°C), qui est identique à celui utilisé pour l’intégration monolithique 3D. La m...

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Bibliographic Details
Main Author: Diaz llorente, Carlos
Other Authors: Grenoble Alpes
Language:en
Published: 2018
Subjects:
Transistor à effet tunnel
Tfet
Soi
Btbt
Basse température
Intégration 3D
Pompage de charges
Bruit basse fréquence
Jonction étendue
Bore
Tunnel FET
Low-Temperature
3D integration
Charge pumping
Low-frequency noise
Extended-source
Pure Boron
Online Access:http://www.theses.fr/2018GREAT096/document

Internet

http://www.theses.fr/2018GREAT096/document

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