Étude et mise en œuvre de nouveaux transistors GaN bidirectionnels au sein de structures d'électronique de puissance à hautes performances
Le CEA-Leti propose des transistors bidirectionnels courant-tension sur base de la technologie récente HEMT GaN récemment appliquée à l’interrupteur de puissance. La caractéristique bidirectionnelle 4 segments ouvre de nouvelles perspectives en termes de structures d’électronique de puissance et amè...
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| Language: | fr |
| Published: |
2018
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2018GREAT037/document |