Caractérisation et modélisation du gaz 2D des dispositifs MIS-HEMTs sur GaN

Caractérisation et modélisation du gaz 2D des dispositifs MIS-HEMTs sur GaN

Le travail de thèse effectué porte sur la caractérisation électrique et la modélisation du gaz d’électrons à deux dimensions (2D) dans les dispositifs MOS-HEMT à base de l’hétérojonction AlGaN/AlN/GaN. Ces dispositifs ont un fort potentiel pour les applications d'électronique de puissance. Ce t...

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Bibliographic Details
Main Author: Nifa, Iliass
Other Authors: Grenoble Alpes
Language:fr
Published: 2018
Subjects:
Caractérisation électrique
Mobilité effective / Hall
Gaz bidimensionnel d'électrons (2DEG)
Modélisation
Hétérojonction AlGaN/GaN
Caractéristiques I-V et C-V
Electrical characterization
Effective / Hall Mobility
2deg
Modeling
AlGaN/GaN
I-V and C-V characteristics
620
Online Access:http://www.theses.fr/2018GREAT015/document

Internet

http://www.theses.fr/2018GREAT015/document

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