Investigation of ternary ΑlΙnΝ and quaternary ΑlGaΙnΝ alloys for high electron mobility transistors by transmission electron microscopy

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Les semi-conducteurs III-V à base d’azote et leurs alliages possèdent des propriétés remarquables et sont largement étudiés depuis les années 90. En comparaison à d'autres semi-conducteurs III-V, Les alliages de type ; AlGaN, InGaN et AlInN, ont leurs bandes interdites, directes, du lointain ul...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Ben ammar, Hichem
Other Authors: Normandie
Language:en
Published: 2017
Subjects:
Séparation de phase
Phase separation
Pinholes
Hillocks
AlInN
AlGaInN
TEM
AFM
APT
HEMT
Online Access:http://www.theses.fr/2017NORMC241/document

Internet

http://www.theses.fr/2017NORMC241/document

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