Physics-based TCAD device simulations and measurements of GaN HEMT technology for RF power amplifier applications

Physics-based TCAD device simulations and measurements of GaN HEMT technology for RF power amplifier applications

Depuis plusieurs années, la technologie de transistors à effet de champ à haute mobilité (HEMT) sur Nitrure de Gallium (GaN) a démontré un potentiel très important pour la montée en puissance et en fréquence des dispositifs. Malheureusement, la présence des effets parasites dégrade les performances...

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Bibliographic Details
Main Author: Subramani, Nandha kumar
Other Authors: Limoges
Language:en
Published: 2017
Subjects:
HEMT GaN
Pièges
Mesure de paramètres-[S] BF
Mesures de bruit BF
Simulations physiques sur TCAD
Modélisation analytique
Modélisation thermique
GaN HEMT
Trapping effects
LF S-parameter measurements
Noise measurements
TCAD physical simulations
Analytical modeling
Thermal modeling
621.381
Online Access:http://www.theses.fr/2017LIMO0084/document

Internet

http://www.theses.fr/2017LIMO0084/document

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