AlGaSb/InAs vertical tunnel field effect transistors for low power electronics
Depuis une dizaine d’années, la miniaturisation des circuits microélectroniques silicium est freinée par l’augmentation de la densité de puissance consommée car la réduction de la tension d’alimentation n’a pas suivi celle des dimensions. Cela est inhérent au mécanisme thermo-ionique d’injection des...
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| Language: | en |
| Published: |
2017
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2017LIL10022/document |