Étude détaillée des dispositifs à modulation de bandes dans les technologies 14 nm et 28 nm FDSOI
Durant les 5 dernières décennies, les technologies CMOS se sont imposées comme méthode de fabrication principale pour les circuits semi-conducteurs intégrés avec notamment le transistor MOSFET. Néanmoins, la miniaturisation de ces transistors en technologie CMOS sur substrat massif atteint ses limit...
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| Language: | en |
| Published: |
2017
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2017GREAT098/document |