Conception, fabrication et caractérisation de photodiodes à base de nitrures semiconducteurs : application aux composants ultra-rapides
Les matériaux semi-conducteurs à base de nitrures disposant de largeur de bande interdite allant de 0,7 à 6 eV, connaissent un intérêt sans cesse croissant pour le développement de dispositifs optoélectroniques du futur. Le but de ces travaux est d’étudier, de concevoir et de développer une photodio...
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| Language: | en |
| Published: |
2016
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2016VALE0022/document |