Caractérisation et modélisation de diodes Schottky et JBS SiC-4H pour des applications haute tension
La diode Schottky SiC est un composant qui peut potentiellement remplacer la diode PiN Si dans les applications de puissance. Effectivement, la tenue en tension élevée, la faible résistivité, ainsi que l’indépendance de la température du courant de recouvrement rendent cette diode idéale pour les co...
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| Language: | fr |
| Published: |
2016
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2016LYSEI147/document |