Conception, optimisation et caractérisation d’un transistor à effet de champ haute tension en Carbure de Silicium

Conception, optimisation et caractérisation d’un transistor à effet de champ haute tension en Carbure de Silicium

La thèse intitulée "Conception, caractérisation et optimisation d’un transistor à effet de champ haute tension en Carbure de Silicium (SiC) et de leur diode associée", s’est déroulée au sein du laboratoire AMPERE sous la direction du Prof. D. PLANSON. Des premiers démonstrateurs de JFET on...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Niu, Shiqin
Other Authors: Lyon
Language:fr
Published: 2016
Subjects:
Electronique de puissance
Interrupteur de puissance
Transistor à effet de champ
Transistor à effet de champ - MOSFET
Transistor à effet de champ - JFET
Transistor à effet de champ - SIT
JFET-SiC
Dessin de masque
Densité de cellule
Caractérisation électrique
Analyse de défaillance
Analyse optique des composants SIC
Court-Circuit
Capacité de court-Circuit
Simulation électrothermique
Capacité thermique du substrat
Power Electronics
Power switches
Unipolar SiC switches - MOSFET
Unipolar SiC switches - JFET
Unipolar SiC switches - SIT
SiC JFET design
Layout
Wafer test
Failure analysis
Short-Circuit
621.317 072
Online Access:http://www.theses.fr/2016LYSEI136/document

Internet

http://www.theses.fr/2016LYSEI136/document

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