Trapping and Reliability investigations in GaN-based HEMTs
Les transistors à haute mobilité d’électrons (HEMTs) en nitrure de gallium (GaN) s’affirment comme les candidats prometteurs pour les futurs équipements à micro-ondes - tels que les amplificateurs de puissance à état solide (SSPA), grâce à leurs excellentes performances. Une première démonstration d...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | en |
| Published: |
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2016LIMO0064/document |